Thiết bị cắt dicing laser tàng hình tiên tiến cho wafer bán dẫn

Mô tả Sản phẩm

Giải pháp cắt bằng laser bán dẫn SIC (Silicon cacbua) hoàn chỉnh

Giải pháp tích hợp này được thiết kế để xử lý các vật liệu cacbua bằng silicon nguyên khối chính xác cao, hiệu suất cao và hiệu suất cao. Hệ thống bao gồm ba bộ phận lõi của thiết bị để xử lý toàn bộ quy trình sản xuất: Thiết bị xẻ rãnh bằng kim loại laser, thiết bị cắt do thám (không nhìn thấy), và thiết bị phân chia hoàn toàn tự động (dicing).

Tuyên bố về giá trị cốt lõi

Giải pháp này được thiết kế đặc biệt cho các đặc tính thách thức của các tấm wafer SIC. Bằng cách sử dụng tia laser cực tím, hệ thống đường dẫn quang học bên ngoài chuyên dụng, tạo ảnh CCD có độ chính xác cao và kiểm soát chuyển động tiên tiến, hệ thống này đạt được khả năng cắt chính xác và hiệu quả với lượng cặn bám tối thiểu và chất lượng lưỡi vượt trội (ít bị mẻ).

Tính năng & lợi thế chính

• Công nghệ đa chùm tia: Cho phép xử lý tốc độ cao, chất lượng cao cho thông lượng vượt trội.

• Tự động hóa hoàn toàn: Có các chức năng nạp/xả hoàn toàn tự động, dán và làm sạch để vận hành không người lái và lưu lượng cao.

• Khả năng tương thích cao: Hoàn toàn tương thích với các định dạng tấm wafer 2 inch, 4 inch, 6 inch và 8 inch.

• Độ chính xác cực cao: Bệ chuyển động có độ thẳng và khả năng lặp lại vượt trội trong phạm vi ±1µm.

• Hệ thống lấy nét tự động DRA: Hệ thống lấy nét không tiếp xúc, theo thời gian thực, linh hoạt điều chỉnh tiêu điểm laser để duy trì độ sâu lớp được điều chỉnh nhất quán, ngay cả khi có sự biến thiên về độ dày tấm wafer (dung nạp ±10µm).

• Chế độ cắt kép: Được trang bị cả khả năng xử lý laser mặt trước (“tiếp tuyến”) và mặt sau (“cắt mặt sau”) để tích hợp quy trình linh hoạt.

• Phân chia tích hợp: Bao gồm hệ thống phân chia lưỡi hoặc nứt chân không chính xác cao, đảm bảo đứt sạch dọc theo đường dẫn do laser biến đổi, đạt được hiệu suất vượt quá 99.6%.

Giải pháp hoàn chỉnh của cắt laser SIC bao gồm: Thiết bị xẻ rãnh bằng kim loại laser, thiết bị cắt không nhìn thấy được bằng laser và thiết bị tách hoàn toàn tự động

Tính năng chính

Dòng thiết bị này được thiết kế để sử dụng tia laser tia cực tím để tạo ra các đặc tính của cắt laser wafer silicon. Một bộ hệ thống đường dẫn quang bên ngoài được thiết kế đặc biệt, kết hợp với hệ thống định vị chụp ảnh CCD chính xác cao và điều khiển chuyển động của nền chính xác cao, để đạt được độ chính xác, hiệu quả và hầu như không có phần dư thừa nào trong hiệu ứng cắt rãnh cắt.
1. Công nghệ cắt nhiều vết để xử lý hiệu quả và chất lượng cao
2. Tải và dỡ hoàn toàn tự động, vận hành tự động và hoàn toàn tự động
3. Tương thích với việc sản xuất chip 2 inch, 4 inch và 6 inch
4. Được trang bị chức năng dán và làm sạch tự động
5. Độ thẳng và khả năng lặp lại của nền tảng đều nằm trong khoảng 1um
6. Được trang bị các chức năng tang và cắt ngược




Máy cắt laser wafer SIC hoàn toàn tự động
Silic cacbua (SIC) có nhiều ứng dụng và nếu các thành phần cacbua silicon trở nên phổ biến, thì các thiết bị chuyển đổi công suất sẽ là
Đã xảy ra các thay đổi đáng kể. Có thể được sử dụng cho xe điện lai, máy điều hòa không khí và các hàng hóa trắng khác, cũng như sản xuất năng lượng mặt trời
Các hệ thống cấp điện phân tán như điện, tạo năng lượng gió, bình nhiên liệu, thiết bị công nghiệp, cũng như các thiết bị chuyển đổi tần số chung và các thiết bị chuyển mạch chung ngắt điện và các khía cạnh khác.

Ứng dụng

Các tính năng chính & lợi thế cạnh tranh

• Khả năng tương thích vật liệu cao: Hoàn toàn tương thích với các dây chuyền sản xuất tấm wafer 4 inch, 6 inch và 8 inch.

• Độ ổn định quy trình vượt trội: Được trang bị laser nhập khẩu hiệu suất cao đảm bảo kết quả quy trình nhất quán và đáng tin cậy.

• Điều khiển lấy nét theo thời gian thực: Hệ thống tự theo dõi DRA tích hợp thực hiện đo không tiếp xúc và điều chỉnh lấy nét laser theo thời gian thực theo biến đổi độ dày của phim, đảm bảo độ sâu cắt tối ưu trong suốt quy trình.

• Hệ thống quan sát tiên tiến: CCD với khả năng chụp ảnh hồng ngoại có độ chính xác cao cho phép định vị mức micron cho cả đường cắt tiến và lùi.

• Tùy chọn vòng bi: Hỗ trợ cả hai hệ thống lưỡi cắt và nứt chân không. Hệ thống chân không được tối ưu hóa cho các sản phẩm hạt nhỏ để đảm bảo hiệu suất mở rộng màng cao.

• Thiết kế quang học độc quyền: Mô-đun hệ thống quang học độc đáo ngăn chặn sự tan chảy trong khoảng cách bằng silicon phía sau, cải thiện đáng kể chất lượng của lớp do thay đổi bằng laser (SD) so với các lớp bên ngoài.

Thông số kỹ thuật

Hệ thống laser:

• Đầu ra chiều dài bước sóng: Dải hồng ngoại (điển hình cho dây do thám SiC)

• Tốc độ lặp lại: 50 - 200 kHz

Nền tảng chuyển động:

• Hành trình pit-tông X/y: 600 × 600 mm

• Độ chính xác định vị: ± 0.005 mm

• Tốc độ di chuyển: Lên đến 1000 mm/giây

• Độ thẳng: ± 0.002 mm / 250 mm

Hệ thống lấy nét tự động DRA:

• Chức năng: Điều chỉnh lấy nét theo thời gian thực trong khi cắt.

• Hiệu suất: Duy trì độ sâu lớp được điều chỉnh đặc, cho phép lỗi độ dày phim trong phạm vi ±10 µm và lỗi chiều sâu cắt trong phạm vi ±5 µm.

Hệ thống rãnh (lưỡi):

• Độ rộng lưỡi: ~5 µm

• Hỗ trợ độ phẳng của bệ máy: < 5 µm

• Độ chính xác định vị trục lõi (cho độ phân cách): < 2 µm

Đang xử lý Dòng công việc

Quy trình này là phương pháp “chỉnh sửa bằng laser và xóa” hai bước:

1. Sửa đổi Nội bộ laser (ẩn sâu):

   • Tia laser IR xung được lấy nét bên trong tấm wafer SIC, tạo ra một lớp vật liệu được sửa đổi liên tục (đường thủng) mà không ảnh hưởng đến bề mặt.

   • Hệ thống DRA bảo đảm lớp được sửa đổi này được đặt ở vị trí hoàn hảo bất kể độ dày các tấm wafer thay đổi.

2. Phân tách / phân tách:

   • Phương pháp A (lưỡi cắt): Lưỡi cắt siêu mỏng (5µm) được căn chỉnh chính xác theo đường dẫn laser bằng hệ thống hình ảnh có độ chính xác cao. Nó áp dụng lực nhanh, được định vị để gãy tấm wafer dọc theo đường laser đã bị suy yếu trước.

   • Phương pháp B (nứt máy hút bụi): Một lực hút chân không được áp dụng để mở rộng một màng bảo vệ được gắn trên tấm wafer, kéo tấm wafer ra xa nhau theo các đường của cầu thủ ghi chép bằng laser. Lý tưởng cho các sản phẩm tinh xảo, có hạt nhỏ.

Kế hoạch Xử lý riêng cacbua silicon & Bảo vệ lợi suất

• Định hướng: Hướng phoi lên trên.

• Độ chính xác: Dao cắt hoạt động trực tiếp trên phoi với vị trí trực quan, đảm bảo chỉ tiếp xúc trong đường dẫn vết trầy đã xác định trước.

• Bảo vệ mặt trước: Để bảo vệ các tấm wafer tốt hơn và giảm nguy cơ vỡ mép gờ, có thể sử dụng màng bảo vệ chống dính 25µm cho mặt trước. Điều này ngăn tiếp xúc lưỡi cắt trực tiếp và phân tán áp lực ra khỏi đường cắt.

• Sản lượng cao: Công nghệ này, được chứng minh trong các ngành công nghiệp silicon, saphir và thủy tinh, đạt được lợi suất vượt quá 99.6%. Thiết bị này cung cấp độ chính xác định vị cao hơn, giảm hiệu quả sự sụp đổ mép gờ và loại bỏ những vết nứt bi hoặc chưa hoàn chỉnh.

Thông số sản phẩm

KHÔNG	dự án	tham số
1	Kích thước ranh giới tinh thể gia công	4 inch, 6 inch, 8 inch
2	Xử lý độ dày đường ranh giới bằng pha lê	50~750μm
3	Tốc độ xử lý	tối đa 1000mm/giây
4	Công suất đầu ra laser	<20 W
5	tần suất lặp lại	0~200KHz
6	Độ chính XÁC của trục Y.	Độ chính xác định vị lặp lại:±1μ M Độ thẳng trục X:±1μ M/300mm
7	PHẠM VI gia CÔNG tối ĐA CỦA TRỤC X.	300mm×300mm
8	Lỗi lặp lại độ chính xác trục Z	±1μm
9	trục θ	Góc xoay:210° Độ phân giải quay:15arc giây
10	Độ phẳng nền tảng	≤±5um(trong phạm vi 200mm)
11	Chức năng phân biệt CCD	Góc, ngang, hiệu chuẩn, độ sáng nguồn sáng CCD tự điều chỉnh điều chỉnh
12	Hệ thống nhận dạng	- CÓ CHỨ

KHÔNG	dự án	Các quy định
1	nhiệt độ môi trường xung quanh	22ºC±2ºC
2	độ ẩm tương đối	30~60%
3	Yêu cầu về độ sạch	10000 mức trở lên
4	Áp suất không khí (CDA)	0.5-0,8Mpa
5	nguồn điện	Một pha 220V,50Hz,trên 16A
6	Dây tiếp đất lưới	Tuân thủ các yêu cầu tiêu chuẩn quốc gia của phòng máy tính
7	Dao động lưới điện	<5%
8	Kích thước thiết bị	1400(D)mm×2200(R)mm×2180(C) mm
9	Trọng lượng thiết bị	Khoảng 3 tấn
10	Những dịp cần tránh	1.những nơi có rác rưởi, bụi và sương mù dầu; 2.những nơi có độ rung và tác động cao; 3.những nơi có thể tiếp cận thuốc và vật liệu dễ cháy và nổ; 4.đặt gần các nguồn nhiễu tần số cao; 5.những vị trí mà nhiệt độ thay đổi nhanh chóng, 6.trong các môi trường có nồng độ CO2, NOx, SOX, v.v. cao

Giải pháp hoàn chỉnh của cắt laser SIC bao gồm: Thiết bị xẻ rãnh bằng kim loại laser, thiết bị cắt không nhìn thấy được bằng laser và thiết bị tách hoàn toàn tự động

Dịch vụ sau bán hàng

Cam kết của khách hàng & hỗ trợ sau bán hàng
Bảo hành toàn diện 1 năm

Phạm vi bao phủ: Bảo vệ hoàn toàn trước các lỗi sản xuất (bao gồm các bộ phận/nhân công).
Tiện ích mở rộng: Có sẵn các gói bảo hành mở rộng tùy chọn cho các ứng dụng quan trọng.
24/7 hỗ trợ kỹ thuật toàn cầu

Phản hồi: ≤1 giờ phản ứng khẩn cấp qua đường dây nóng chuyên dụng/người tập sự.
Ngôn ngữ: Các kỹ sư đa ngôn ngữ (tiếng Anh/tiếng Trung/tiếng Đức/tiếng Nhật).
Tại chỗ: Điều phối nhanh cho các vấn đề chưa được giải quyết (tối đa 72 giờ cho các khu vực cấp 1).
Dịch vụ giá trị gia tăng