Tấm kê lò bằng silicon carbide liên kết phản ứng

Mô tả Sản phẩm Phản ứng với tấm Setter của lò nung Silicon cacbua Đĩa thiết lập lò nung RBSiC này là một tấm tải lò nung mỏng, có tải trọng cao để đúc đặc hơn vào gốm. SiC kết dính phản ứng kết hợp khả năng mở rộng thấp và độ ổn định hóa học; độ dày điển hình là 6–10 mm với công suất tải cao. Các kích cỡ sẵn có bao gồm 220×720×6 mm, 370×500×7 mm, 390×550×8 mm và nhiều hơn nữa; hình dạng và kích cỡ có sẵn để vẽ. Tính năng chính • tấm thiết bị định vị RBSiC có khả năng mở rộng thấp và độ ổn định hóa học.
• độ dày điển hình 6–10 mm với khả năng chịu tải cao.
• kích thước có sẵn như 220×720×6 mm, 370×500×7 mm, 390×550×8 mm.
• hình dạng và kích thước có thể tùy chỉnh; có sẵn các kích thước tùy chỉnh để vẽ. Ưu điểm • giúp tăng mật độ tải và hiệu quả năng lượng so với các đĩa truyền thống nặng hơn.
• tùy chọn lò nung có hiệu quả về chi phí để thực hiện các chu kỳ bắn nhiều lần.
• các hình dạng tùy chỉnh cho các bố cục không được liệt kê trong lò nung. Ứng dụng • đồ gốm, đồ ăn, đồ gốm, đồ gốm và đồ gốm nghệ thuật.
• Tổng bộ thiết bị nung / tải bat.
• có sẵn các tấm thiết lập tùy chỉnh để vẽ. Thông số kỹ thuật

Thuộc tính	Điều kiện	Đơn vị	Giá trị
Hàm số cacbua silicon	%	≥98
Kích cỡ hạt trung bình	μm	4–10
Mật độ	kg/dm³	3.03
Độ chân thực rõ ràng	% thể tích	0.3
Độ cứng Vickers	kg/mm²	2200
độ bền uốn 3 điểm*	20 °C	MPa	400
độ bền uốn 3 điểm*	1300 °C	MPa	540
Độ bền nén	20 °C	MPa	3900
Mô-đun đàn hồi	Điểm trung bình	420
Gãy xương cứng cáp	MPa m^0.5	5.03
Độ dẫn nhiệt	20 °C	W/(m·K)	140–160
Độ dẫn nhiệt	1300 °C	W/(m·K)	30–40
Điện trở	Ω·cm	10^6–10^8
Hệ số giãn nở nhiệt	RT–1300 °C	10^-6/K	4.9
Chống ăn mòn	50% NaOH, 100°C, 15 d	mg/(cm²·y)	0.73
Chống ăn mòn	10% HF : 65% HNO^3 = 1:1, RT, 30 D	mg/(cm²·y)	0.0017
Chống ăn mòn	10% HF : 65% HNO^3 = 1:1, 100 °C, 30 D	mg/(cm²·y)	0.97
Nhiệt độ dịch vụ tối đa	Khí oxy hóa	°C	1700

Chứng nhậnDịch vụ sau bán hàngHồ sơ công ty