Máy nghiền chip bán dẫn cao cấp tự động hoàn toàn với thiết bị tách wafer

Mô tả Sản phẩm

Máy này được trang bị một thiết bị chia tách các tấm wafer cho các vật liệu giòn như 2 "~8" LED/SIC/thủy tinh/gốm. Tấm wafer xử lý bằng laser được hỗ trợ bởi nền tảng nhận như một tham chiếu, được bổ sung bằng hành động tách của nâng lưỡi để tách các mảnh vụn. Trong quá trình tách, CCD tự động sửa và chụp ảnh để phát hiện hiệu ứng tách, đảm bảo thiết bị có thể phân chia nhanh chóng và chính xác; đồng thời đạt được việc sản xuất không người lái, chỉ cần thực hiện tải gián đoạn và dỡ khung vật liệu.

Tính năng chính & thông số kỹ thuật

1. Cơ chế nạp/xả

• Xử lý vật liệu:
  • khay cassette tiêu chuẩn 25 lớp với vị trí miếng dán tấm wafer ±5mm.
  • Thông số kỹ thuật vòng sắt: Kích cỡ 6 inch, dung sai kích thước <0,3mm, biến dạng tối đa <1mm.
• Tự động hóa:
  • Kìm thu bụi chip có phát hiện bất thường truy xuất vật liệu.
  • dung sai góc lắp tấm wafer tối đa 30°.

2. Căn chỉnh & chia tách chính xác

• Căn chỉnh tự động CCD:
  • Phát hiện mép gờ cho các mảnh (<bán kính 2mm).
  • độ chính xác của vị trí chia tách + hiệu chỉnh servo góc θ: 0,005mm.
• Cơ cấu lưỡi:
  • Thang nâng được điều khiển bằng servo (độ chính xác 1µm).
  • Lưỡi ủi được tôi (HRC65) có điều chỉnh song song.

3. Số liệu sản xuất

Kích cỡ tấm bán dẫn	Thông số kỹ thuật phoi (µm)	Thời gian chu kỳ	Đầu ra hàng giờ	Dung lượng hàng tháng*
4 inch	533×254	250s	14.4 chip	9,187
4 inch	102×125	695s	5.2 chip	3,203
*22 giờ/ngày, 28 ngày/tháng

4. Điều khiển chuyển động & cơ khí

• Bảng X-y: Hành trình 105×105mm, khả năng lặp lại ±2µm, tốc độ 110mm/giây.
• Trục Z: Xoay 120°, chính xác ±10 vòng cung giây.
• Trục F (chia tách): Hành trình 60mm, độ chính xác ±1µm, tốc độ 50mm/giây.

5. Đảm bảo chất lượng

• Lợi tức chia tách: ≥99.5%
• Thời gian vận hành thiết bị: ≥95%
• Thời gian sửa chữa trung bình: ≤12 giờ

Quy trình

1. Tải tấm bán dẫn: CCD góc rộng chụp đường bao để định vị.
2. Căn chỉnh đường dẫn laser: Hiệu chỉnh trực quan đến độ chính xác của độ cao µm.
3. Nứt gãy: Lưỡi (độ rộng 6µm) sử dụng lực kiểm soát dọc theo người ghi chép laser.
4. Kết quả: Những mảnh vỡ được phân tách bằng độ co lại lưỡi tối thiểu (<5µm hỗ trợ độ phẳng của bàn).

Cải tiến chính: Màng bảo vệ không dính (25µm) làm giảm hư hỏng tiếp xúc với lưỡi cắt.

Thông số kỹ thuật

Thành phần	Thông số kỹ thuật
Kích thước máy	1650×1200×1700MM (RỘNG×SÂU×CAO)
Nguồn điện	220V, 50Hz, 10A
Môi trường vận hành	20-25°C, độ ẩm 20-60%
Khí nén	Kết nối 0,6MPa, Φ8mm

Ứng dụng & thị trường

• Các vật liệu: Các tấm wafer bằng gốm/SiC/thủy tinh/8"-2".
• Kích thước chip: 24×24 đến 60×60 milis (có sẵn phần cứng hình ảnh tùy chỉnh).
• Khách hàng: Phục vụ hơn 200 khách hàng tại hơn 30 quốc gia (ví dụ: Chất bán dẫn Himalaya).

Hiệu ứng mẫu một phần
5.3 yêu cầu về vị trí máy (W) 1650 × (D) 1200 × (H) 1700 (mm) (không bao gồm đèn tín hiệu)ngoài ra, cần giữ khoảng ít nhất 600mm quanh chu vi
Yêu cầu về môi trường để sử dụng
Nhu cầu điện 220V/pha đơn/50Hz/10A
Nhiệt độ môi trường 20-25 ºC
Độ ẩm môi trường 20% -60%
Khí nén 0,6MPa
Giao diện không khí nén 30mm
Rung môi trường yêu cầu biên độ nền<5 μ M.
Tăng tốc độ rung<0,05G

Triển lãm & Khách hàng

Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.

Tổng quan về công ty

• Thành lập: 2019
• Trọng tâm chính:
  • Tích hợp chuỗi cung ứng & thương mại quốc tế của thiết bị bán dẫn
  • Tối ưu hóa thu mua với kiểm soát tỉ lệ chi phí-hiệu suất
  • Giao dịch giảm thiểu rủi ro (thu một lần thanh toán cho nhà cung cấp)
• Phạm vi toàn cầu:
  • Xuất ra hơn 30 quốc gia
  • Phục vụ hơn 200 khách hàng & nhà cung cấp

Sứ mệnh: Kết nối thiết bị bán dẫn hiệu suất cao với nhu cầu toàn cầu thông qua các giải pháp thương mại tích hợp.

Danh mục sản phẩm

1. Phụ kiện gắn kèm khuôn & kết nối

• Die Bonder:
  • Vị trí chính xác cao (độ chính xác ≤1µm) đối với các gói CSP/QFN/BGA
  • Thông lượng: 15K UPH (Ví dụ: MEMS, Power Devices)
• Mối nối dây:
  • Vàng/nhôm/dây đồng (đường kính 25-500µm)
  • Có thể đạt độ dày rãnh miếng đệm 20µm

2. Hệ thống xử lý laser

Sản phẩm	Ứng dụng chính	Tài liệu nổi bật về kỹ thuật
Dấu laze (các tấm wafer ID/IC)	Khả năng truy nguyên các tấm bán dẫn, mã số và chữ số/2D	độ phân giải 10µm, tốc độ khắc 300mm/giây
Xẻ rãnh laser	Phân mẫu PCB, đấu tấm wafer SIC	chiều rộng rãnh 20-100µm, khả năng lặp lại ±2µm
Cắt bằng laser	Các tấm wafer bằng thủy tinh/gốm ( độ dày ≤1mm)	Cạnh không bị nứt, laser có xung 150W
Sửa đổi bên trong laser	Khả năng xử lý giao lộ wafer của si/SIC, phát hiện giao lộ LT/LN	tùy chọn bước sóng 1064nm/355nm
Vòng đệm laser (si/SIC)	Kích hoạt dopé, sửa chữa khiếm khuyết	Độ đồng đều ≤3% trên các tấm wafer 300mm

3. Xử lý cơ khí

• Cưa cắt tự động:
  • Lưỡi cắt đóng dication ( ≤50µm) cho bao bì tấm wafer
  • Tương thích với các tấm wafer 2"-12" (si, GaAs, thủy tinh)
• Thiết bị hỗ trợ:
  • Hệ thống phân phối silicon:
    • Xả bằng vòi/kim (độ chính xác 0,1mm dot)
    • Lựa chọn chữa bệnh bằng tia UV/nhiệt

Đóng gói & vận chuyển CÂU HỎI THƯỜNG GẶP

Q1:làm thế nào để chọn máy phù hợp?
A1:bạn có thể cho chúng tôi biết vật liệu phôi gia công, kích thước và yêu cầu chức năng của máy. Chúng tôi có thể đề xuất máy phù hợp nhất theo kinh nghiệm của chúng tôi.

Q2:thời hạn bảo hành cho thiết bị là bao lâu?
A2:Bảo hành một năm và hỗ trợ kỹ thuật chuyên nghiệp trực tuyến 24 giờ.

Q3:làm thế nào để chọn được máy phù hợp?
A3:bạn có thể cho chúng tôi biết yêu cầu chức năng của máy. Chúng tôi có thể đề xuất máy phù hợp nhất theo kinh nghiệm của chúng tôi.