H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR 4Gb DDR4 SDRAM IC chip

mô tả

-: 4GB

- Mfr. Số bộ phận:-

Bảng dữ liệu: (Email hoặc trò chuyện với chúng tôi để truy cập tập tin PDF)

Trạng THÁI ROHS:

Chất lượng: 100% gốc

Bảo hành: MỘT NĂM

Loại:	Mục đích đặc biệt
Kiểu lắp ráp:	SMD/SMT
Bao bì / hộp:	BGA

-xxC,, và là 4GB tốc độ dữ liệu kép IV () Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (), phù hợp lý tưởng cho các ứng dụng bộ nhớ chính yêu cầu mật độ lưu trữ cao và băng thông cao. Cung cấp hoạt động đồng bộ 4 GB với cả hai lựa chọn cùng lúc là làm tăng và giảm tốc độ xung nhịp của bộ nhớ. Tất cả các đầu vào địa chỉ và điều khiển được chốt trên mép cao của CK (lưỡi cắt giảm của CK), và dữ liệu, que đo dữ liệu, và đầu vào mặt nạ dữ liệu viết được lấy mẫu trên cả mép cao và ngã. Đường dẫn dữ liệu sử dụng đường ống dẫn bên trong và tìm nạp trước 8 bit để đạt được băng thông rất cao.

• VDD = VDDQ = 1,2V ± 0,06V
• Vận hành đầu vào đồng hồ hoàn toàn vi sai (CK, CK)
• Các bộ vi sai dữ liệu (DQS, DQS)
• DLL trên khuôn cân bằng các chuyển tiếp DQ, DQS và DQS với chuyển tiếp CK
• Mặt nạ DM ghi dữ liệu trên cả mép lên và mép rơi dữ liệu nhấp nháy
• Tất cả các đầu vào địa chỉ và điều khiển, ngoại trừ dữ liệu, đèn chớp dữ liệu và mặt nạ dữ liệu, đều được chốt trên cạnh cao của đồng hồ
• Độ trễ cas có thể lập trình: 9, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, và 20
• Độ trễ phụ gia có thể lập trình được: 0, CL - 1, và CL - 2 (chỉ x4/x8)
• Độ trễ ghi cas có thể lập trình (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
• Chiều dài chụp liên tục có thể lập trình 4/8 với chế độ tuần tự và rời liên tục
• Chuyển đổi chiều dài chụp liên tục động
• 16 ngân hàng
• Khoảng thời gian làm mới trung bình (phạm vi nhiệt độ 0ºC ~ 95ºC)
  • 7,8 µs ở 0ºC ~ 85ºC
  • 3,9 µs ở 85ºC ~ 95ºC
• Tiêu chuẩn JEDEC 78-ball FBGA (x4/x8), 96-ball FBGA (x16)
• Có thể chọn cường độ truyền động qua MRS
• Hỗ trợ kết thúc trên khuôn động
• Trạng thái chấm dứt RTT_PARK và RTT_NOM có thể chuyển đổi qua mã pin ODT
• Hỗ trợ đặt lại mã pin không đồng bộ
• Hỗ trợ hiệu chỉnh ZQ
• Hỗ trợ TDQS (SCEG dữ liệu chấm dứt) (chỉ x8)
• Hỗ trợ cân bằng ghi
• tìm nạp trước 8 bit
• Tuân thủ RoHS
• Tạo mức độ DQ trong Vref khả dụng
• Ghi CRC được hỗ trợ cho tất cả các cấp độ tốc độ
• Chế độ tiết kiệm pin tối đa được hỗ trợ
• Chế độ TCAR (tự động làm mới nhiệt độ) được hỗ trợ
• Chế độ LP ASR (tự động tự làm mới công suất thấp) được hỗ trợ
• Làm mới độ chi tiết tinh được hỗ trợ
• Hỗ trợ khả năng ghi địa chỉ mỗi DRAM
• Chế độ giảm tốc (1/2 tốc độ, 1/4 tốc độ) được hỗ trợ
• Hỗ trợ đọc/ghi lời nói đầu có thể lập trình được
• Hỗ trợ hủy bỏ tự làm mới
• Hỗ TRỢ chế ĐỘ ghép ĐÔI CA (lệnh/Địa CHỈ)
• Đã triển khai gộp nhóm ngân hàng; độ trễ cas-đến-cas (tCCD_L, tCCD_S) có sẵn cho các truy cập nhóm ngân hàng giống nhau hoặc khác nhau
• DBI (Đảo bus dữ LIỆU) được hỗ TRỢ (x8)

Chứng chỉ










Chi tiết đóng gói sản phẩm

Tại sao lại chọn chúng ta

• Nằm ở Thâm quyến, trung tâm thị trường điện tử của Trung Quốc.
• 100% đảm bảo chất lượng các bộ phận: Chính hãng.
• Đủ hàng hóa theo yêu cầu khẩn cấp của bạn.
• Các đồng nghiệp tinh vi giúp bạn giải quyết các vấn đề để giảm rủi ro với sản xuất theo yêu cầu
• Vận chuyển nhanh hơn: Trong các bộ phận hàng hóa có thể vận chuyển cùng ngày .
• 24 giờ vận hành

Thông báo:

1. Hình ảnh sản phẩm chỉ để tham khảo.
2. Bạn có thể liên hệ với nhân viên bán hàng để xin giá tốt hơn.
3. Để biết thêm thông tin về yêu cầu sản phẩm, vui lòng liên hệ với đội ngũ kinh doanh của chúng tôi.