GD25D05CTIGR GD25D05CTIG 2.7V~3.6V 512Kbit 100MHz Bộ nhớ SPI IC flash NOR GD25D05C GD25D05CEIGR

mô tả

GD25D05CTIGR: 2,7V~3,6V 512Kbit 100MHz SPI SON-8(2x3) Bộ nhớ (IC) RoHS

- Mfr. Phần#: GD25D05CTIGR

Bảng dữ liệu: (Email hoặc trò chuyện với chúng tôi để truy cập tập tin PDF)

Trạng THÁI ROHS:

Chất lượng: 100% gốc

Bảo hành: MỘT NĂM

Điện áp - cấp nguồn	2,7 V~3,6 V
Dung lượng bộ nhớ	512Kbit
Nhiệt độ hoạt động	-40ºC~+85ºC
Chương trình / Xóa các chu kỳ	100,000 chu kỳ
Tần số đồng hồ	100 MHz
Lưu giữ dữ liệu - TDR (năm)	20 năm
Thời gian Xóa Khối (TBE)	300ms@(32KB)
Thời gian lập trình trang (TPP)	700us
Dòng điện cấp ở chế độ chờ	0,1uA
Giao diện	SPI

(Giao diện Ngoại vi nối tiếp) mang lại hiệu quả về chi phí cực thấp, đồng thời giải pháp lưu trữ bộ nhớ bất biến mật độ cao cho các hệ thống nhúng, dựa trên lõi bộ nhớ chuẩn ngành. Đây là sự thay thế hấp dẫn cho SPI-NOR và NAND Flash song song tiêu chuẩn, với các tính năng nâng cao. • Tổng số chân là 8, bao gồm VCC và GND • mật độ là 1Gb • hiệu năng ghi cao hơn và chi phí trên mỗi bit so với SPI-NOR • chi phí thấp đáng kể so với NAND song song Bộ nhớ NAND Flash đếm chân thấp này tuân theo giao diện ngoại vi nối tiếp tiêu chuẩn ngành, và luôn giữ nguyên một chân cắm ở mật độ này sang mật độ khác. Các bộ lệnh giống như các bộ lệnh SPI-NOR thông dụng, được sửa đổi để xử lý các chức năng cụ thể NAND và thêm các tính năng mới. GigaDevice SPI NAND là bộ nhớ cực nhanh NAND dễ tích hợp, với các tính năng được thiết kế cụ thể để dễ dàng quản lý máy chủ: • ECC bên trong có thể chọn người dùng. Sự ngang bằng ECC được tạo nội bộ trong hoạt động chương trình trang. Khi trang được đọc vào sổ đăng ký bộ đệm ẩn, sự cân bằng ECC được phát hiện và sửa lỗi khi cần thiết. Khu vực dự phòng 64 byte khả dụng ngay cả khi ECC bên trong được bật. Đầu ra của thiết bị đã sửa dữ liệu và trả về trạng thái lỗi ECC. • di chuyển hoặc sao chép dữ liệu nội bộ với ECC nội bộ. Có thể dễ dàng làm mới thiết bị và quản lý tác vụ thu thập rác mà không cần dịch chuyển vào và ra khỏi dữ liệu. • Bật nguồn đọc với ECC nội bộ. Thiết bị sẽ tự động đọc trang đầu tiên của khối đầu tiên để lưu vào bộ nhớ cache sau khi bật nguồn, sau đó máy chủ có thể đọc trực tiếp dữ liệu từ bộ nhớ cache để khởi động dễ dàng. Ngoài ra, dữ liệu được ECC nội bộ hứa hẹn sẽ chính xác khi ECC bật. Nó được lập trình và đọc trong các thao tác trên trang, và bị xóa trong các thao tác trên khối. Dữ liệu được chuyển đến hoặc từ mảng bộ nhớ NAND Flash, theo trang, đến máy đăng ký dữ liệu và máy đăng ký bộ nhớ đệm. Sổ đăng ký bộ đệm ẩn gần nhất với mạch điều khiển I/O và đóng vai trò như một bộ đệm dữ liệu cho dữ liệu I/O; sổ đăng ký dữ liệu gần nhất với mảng bộ nhớ và đóng vai trò như một bộ đệm dữ liệu cho thao tác mảng bộ nhớ NAND Flash. Bộ nhớ đệm đăng ký hoạt động như bộ nhớ đệm để bật các thao tác ĐỌC/GHI dữ liệu ngẫu nhiên và sao chép lại trang và dữ liệu ngẫu nhiên. Các thiết bị này cũng sử dụng sổ đăng ký trạng thái SPI báo cáo trạng thái hoạt động của thiết bị.

Chứng chỉ










Chi tiết đóng gói sản phẩm

Tại sao lại chọn chúng ta

• Nằm ở Thâm quyến, trung tâm thị trường điện tử của Trung Quốc.
• 100% đảm bảo chất lượng các bộ phận: Chính hãng.
• Đủ hàng hóa theo yêu cầu khẩn cấp của bạn.
• Các đồng nghiệp tinh vi giúp bạn giải quyết các vấn đề để giảm rủi ro với sản xuất theo yêu cầu
• Vận chuyển nhanh hơn: Trong các bộ phận hàng hóa có thể vận chuyển cùng ngày .
• 24 giờ vận hành

Thông báo:

1. Hình ảnh sản phẩm chỉ để tham khảo.
2. Bạn có thể liên hệ với nhân viên bán hàng để xin giá tốt hơn.
3. Để biết thêm thông tin về yêu cầu sản phẩm, vui lòng liên hệ với đội ngũ kinh doanh của chúng tôi.