Công nghệ bóc tách bằng laser tiên tiến nâng cao hiệu quả sản xuất chất bán dẫn

Mô tả Sản phẩm

Sử dụng bức xạ laser có xung với năng lượng photon lớn hơn Gan bandGap và nhỏ hơn băng băng saphir để chiếu xạ chất nền saphir, Gan được phân hủy nhiệt thành khí nitơ và kim loại điểm nóng chảy thấp Ga (chỉ 30 ºC) trong phạm vi ổn định 900 ºC -1000 ºC, Đạt được sự phân tách lớp mẫu mực chính là hình ảnh thu nhỏ và chất nền saphir.

Công nghệ tẩy da chết sử dụng năng lượng laser để phân hủy lớp đệm gan tại giao diện gan/saphir, nhờ đó đạt được sự tách các tấm wafer bán dẫn kiểu trục với đế sa phia. Thiết bị này sử dụng tia laser DPSS và được thiết kế đặc biệt với đường dẫn quang học bên ngoài để bóc vỏ wafer, có thể đạt được hiệu quả và hiệu quả bóc vỏ chất lượng cao. Sử dụng laser bán thể rắn SPSS
Các sản phẩm có thể xử lý: Tấm phẳng, PSS, PSS+PVD
Chất và dỡ hoàn toàn tự động các kiện hàng 4 inch và 6 inch để sản xuất, với khả năng cho các kiện hàng 2 inch dùng tay vào hoạt động sản xuất
Tước bỏ hư hỏng thấp, hiệu suất cao, có thể hoạt động liên tục trong 24 giờ, hiệu suất ổn định và chi phí vận hành thấp
Tham số quy trình có thể điều chỉnh và có thể lưu trữ
Với tài liệu nhật ký, cùng VỚI CÁC GIÂY của khách hàng, có thể tải lên và lưu thông số xử lý và quy trình
Có thể nâng và hạ giá đỡ và điều chỉnh tiêu điểm thông qua bù nâng khu vực, có thể giải quyết vấn đề biến dạng phoi
Khay kim loại được lắp đặt xung quanh nền tảng xử lý để ngăn chặn mảnh vụn rơi vào bên trong thiết bị
Giám sát tự động bằng laser để đảm bảo hiệu ứng bong tróc
Thiết bị được trang bị để đảm bảo sự sạch sẽ bên trong của máy
1. Chất tải và dỡ hoàn toàn tự động của các kiện hàng 4 inch và 6 inch trong phạm vi xử lý, với khả năng cho các kiện hàng 2 inch dùng tay để sản xuất
2 tia laser và tia laser quang học UV, có công suất xử lý tối đa ≥ 1W
Trục y 3 nền tảng
Di chuyển: 400mm
Độ chính xác định vị lặp lại: ± 1um
Trục X 4 nền tảng
Di chuyển: 350mm
Độ chính xác định vị lặp lại: ± 1um
Nâng 5 giai đoạn hành trình nâng trục W: > 5 mm
6. Cơ chế nạp và dỡ tự động hoàn toàn
7 máy đo điện và hệ thống điều khiển 1. Tốc độ tối đa: 5000mm/s
2. Độ chính xác: ± 15 um
8 phương pháp xử lý 1. Xoắn ốc từ bên ngoài đến bên trong
2. Phương pháp đổ đầy tuyến tính
9 hiệu suất xử lý bằng laser tấm phẳng 4 inch: 240 giây/tờ (không bao gồm chất tải và dỡ hàng)
(Thời gian bóc vỏ đơn có thể khác nhau rất nhiều tùy vào sản phẩm)
10 hiệu quả bóc vỏ màng 4 inch màng phẳng: 8870 kiện hàng/tháng (được tính theo 22 giờ/ngày, 28 ngày/tháng)
11 hiệu suất vỏ, hiệu suất bề mặt ≥ 98%, màng phẳng 4 inch
12. Tỉ lệ sử dụng thiết bị ≥ 95%
1. Yêu cầu về điện năng: 380V ± 10%, 50/60Hz, 25A (tối đa). Nơi cần tránh
2. Nhiệt độ và độ ẩm môi trường 21-23 ºC, với thay đổi nhiệt độ ± 1 ºC; RH40~70%, ở những nơi không có ngưng tụ, rác, bụi hoặc sương mù dầu;
Những nơi có độ rung và tác động cao;
Những nơi có thể tiếp cận thuốc và vật liệu dễ cháy và nổ;
Đặt gần các nguồn nhiễu tần số cao;
Những nơi nhiệt độ thay đổi nhanh chóng;
Trong môi trường có nồng độ CO2, NOx, SOX cao, v.v.
3 mức độ sạch sẽ 1000
Áp suất CDA 4: > 0,5MPa; tốc độ dòng: 250L/phút; đường kính ống: Φ 12mm
5. Bộ làm lạnh nước sử dụng nước đã đóng chai bình thường và được thay thế mỗi tháng một lần
6. Nitơ nén N2 trên 0,5MPa, độ tinh khiết ≥ 99.99%; đường kính ống: Φ 6mm
7. Đường kính ống xả chung: Φ 100mm; tốc độ dòng: 3CMM
8 yêu cầu về rung chấn môi trường: Biên độ nền tảng<5 μ M; tăng tốc độ rung<0,05G
1: 4 inch mẫu lớp truyền wafer silicon PSS
2: Mẫu 4 inch PSS+AlN lớp truyền wafer silicon
3: lớp truyền wafer silicon phẳng mẫu 2 inch
Dấu xử lý laser và hình ảnh được phóng to cục bộ
Tái tạo tổng thể quá trình xử lý laser và tăng phóng từng phần
/